ဓာတုမျက်နှာပြင်အပူကုသမှု
Chemical heat treatment သည် workpiece အား အပူပေးခြင်းနှင့် အပူထိန်းသိမ်းရန်အတွက် တိကျသော ကြားခံတစ်ခုတွင် ထားရှိပေးသော အပူကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ကြားခံအတွင်းရှိ တက်ကြွသောအက်တမ်များသည် workpiece ၏မျက်နှာပြင်အလွှာအတွင်းသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ကာ ဓာတုဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဖွဲ့စည်းပုံတို့ကို ပြောင်းလဲစေပါသည်။ workpiece ၏မျက်နှာပြင်အလွှာ, ထို့နောက်၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပြောင်းလဲ။ ဓာတုအပူကုသမှုသည် မျက်နှာပြင်၏ မာကျောမှု၊ မာကျောမှုနှင့် အနားသပ်တို့ကို ရရှိရန် နည်းလမ်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ မျက်နှာပြင်မီးငြိမ်းခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဓာတုအပူကုသမှုသည် သံမဏိ၏ မျက်နှာပြင်ဖွဲ့စည်းပုံကို ပြောင်းလဲစေရုံသာမက ၎င်း၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုကိုလည်း ပြောင်းလဲစေသည်။ စိမ့်ဝင်နေသော မတူညီသောဒြပ်စင်များအရ၊ ဓာတုအပူကုသမှုကို carburizing၊ nitriding၊ multi-infiltration၊ အခြားသောဒြပ်စင်များ၏ စိမ့်ဝင်မှုစသည်ဖြင့် ပိုင်းခြားနိုင်ပါသည်။ ဓာတုအပူကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အခြေခံလုပ်ငန်းစဉ်သုံးမျိုးပါဝင်သည်- ပြိုကွဲခြင်း၊ စုပ်ယူခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်း။
အသုံးများသော ဓာတုအပူကုသမှု
ကာဗူရိုင်ရှင်း၊ နိုက်ထရစ်ဒင်း (အများအားဖြင့် နိုက်ထရစ်ဒင်း)၊ ကာဗွန်နိုက်ထရစ်ဒင်း (အများအားဖြင့် ဆိုက်ယာနိုက်နှင့် အပျော့နိုက်ထရစ်ဒင်း) စသည်တို့၊ ဆာလဖာပြုလုပ်ခြင်း၊ ဘိုရိုဆန်ခြင်း၊
သတ္တုအပေါ်ယံပိုင်း
အခြေခံပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သတ္တုအပေါ်ယံတစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော သတ္တုအလွှာများကို ဖုံးအုပ်ခြင်းသည် ၎င်း၏ ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်နှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်တို့ကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည် သို့မဟုတ် အခြားသော အထူးဂုဏ်သတ္တိများ ရရှိနိုင်သည်။ လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်၊ ဓာတုပလပ်စတစ်၊ ပေါင်းစပ်ပလပ်စတစ်၊ စိမ့်ဝင်မှုဖြစ်စေသော ပလပ်စတစ်၊ ပူပူနွေးနွေးပြုတ်ကျခြင်း၊ လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်း၊ လေဖြန်းခြင်းများ၊
Metal Carbide Coating - အငွေ့ထွက်ခြင်း။
အငွေ့ပျံခြင်းနည်းပညာ ဆိုသည်မှာ ပါးလွှာသော ဖလင်များ ဖြစ်ပေါ်လာစေရန် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒနည်းများဖြင့် ပစ္စည်းများ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အခိုးအငွေ့အဆင့်ဒြပ်စင်များ ပါဝင်သော အငွေ့အဆင့်ဒြပ်စင်များ အပ်နှံသည့် အပေါ်ယံနည်းပညာ အမျိုးအစားသစ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။
အစစ်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ နိယာမအရ အခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းနည်းပညာကို အမျိုးအစားနှစ်မျိုး ခွဲခြားနိုင်သည်- ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD) နှင့် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD)
Physical vapor deposition ဆိုသည်မှာ ပစ္စည်းတစ်ခုအား အက်တမ်များ၊ မော်လီကျူးများအဖြစ် အငွေ့ပြန်စေသော သို့မဟုတ် လေဟာနယ်အခြေအနေအောက်တွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းများဖြင့် အိုင်းယွန်းအဖြစ်သို့ အိုင်ယွန်းသို့ ရောက်သွားကာ ပါးလွှာသောဖလင်မ်ကို ဓာတ်ငွေ့အဆင့်လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပ်နှံပါသည်။
Physical deposition နည်းပညာတွင် အဓိကအားဖြင့် အခြေခံနည်းလမ်းသုံးမျိုးပါဝင်သည်- လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်း၊ sputtering နှင့် ion plating တို့ဖြစ်သည်။
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းတွင် အသုံးပြုနိုင်သော အလွှာပစ္စည်းများနှင့် ဖလင်ပစ္စည်းများ ကျယ်ပြန့်ပါသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် ရိုးရှင်းပြီး ပစ္စည်းများ ခြွေတာကာ ညစ်ညမ်းမှု ကင်းစင်သည်။ ရရှိထားသောဖလင်သည် ဖလင်အခြေခံသို့ ခိုင်ခံ့စွာ ကပ်နိုင်မှု၊ တူညီသော ဖလင်အထူ၊ ကျစ်လစ်မှုနှင့် အပေါက်များနည်းပါးခြင်း၏ အားသာချက်များရှိသည်။
Chemical Vapor Deposition (CVD)
ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းဆိုသည်မှာ ရောစပ်ထားသောဓာတ်ငွေ့သည် အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သတ္တု သို့မဟုတ် ဒြပ်ပေါင်းဖလင်တစ်ခုဖြစ်လာစေရန် အပူချိန်တစ်ခုတွင် ရောနှောထားသောဓာတ်ငွေ့တစ်ခု၏ မျက်နှာပြင်ကို ရည်ညွှန်းသည်။
ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းရုပ်ရှင်သည် ကောင်းမွန်သောဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူခံနိုင်ရည်နှင့် လျှပ်စစ်၊ optical နှင့် အခြားသော အထူးဂုဏ်သတ္တိများ ရှိသောကြောင့် ၎င်းကို စက်ယန္တရားများထုတ်လုပ်ခြင်း၊ အာကာသ၊ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး၊ ကျောက်မီးသွေးဓာတုဗေဒလုပ်ငန်းနှင့် အခြားစက်မှုလုပ်ငန်းနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။
